TEM小室特點(diǎn)

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更新時(shí)間：2023-11-09

簡(jiǎn)要描述：TEM小室其實(shí)就是一個(gè)變型的同軸線，在此同軸線中部，由一塊扁平的芯板作為內(nèi)導(dǎo)體，外導(dǎo)體為方形，兩端呈錐形向通用的同軸器件過渡，一頭連接同軸線到測(cè)試接收機(jī)，另一頭連接匹配負(fù)載。

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　　TEM小室其實(shí)就是一個(gè)變型的同軸線，在此同軸線中部，由一塊扁平的芯板作為內(nèi)導(dǎo)體，外導(dǎo)體為方形，兩端呈錐形向通用的同軸器件過渡，一頭連接同軸線到測(cè)試接收機(jī)，另一頭連接匹配負(fù)載。TEM小室的外導(dǎo)體頂端有一個(gè)方形開口用于安裝測(cè)試電路板。其中，集成電路的一側(cè)安裝在小室內(nèi)側(cè)，互連線和外圍電路的一側(cè)向外。這樣做使測(cè)到的輻射發(fā)射主要來源于被測(cè)的IC芯片。受測(cè)芯片產(chǎn)生的高頻電流在互連導(dǎo)線上流動(dòng)，那些焊接引腳、封裝連線就充當(dāng)了輻射發(fā)射天線。當(dāng)測(cè)試頻率低于TEM小室的一階高次模頻率時(shí)，只有主模TEM模傳輸，此時(shí)TEM小室端口的測(cè)試電壓與騷擾源的發(fā)射大小有較好的定量關(guān)系，因此，可用此電壓值來評(píng)定集成電路芯片的輻射發(fā)射大小。

　　TEM小室的測(cè)量手段主要是由測(cè)試場(chǎng)地和測(cè)試儀器組成。常規(guī)的電磁兼容檢測(cè)方法有屏蔽室法、開闊場(chǎng)法、電波暗室法等。

　　屏蔽室：在EMC測(cè)試中，屏蔽室能提供環(huán)境電平低而恒定的電磁環(huán)境，它為測(cè)量精度的提高，測(cè)量的可靠性和重復(fù)性的改善帶來了較大的潛力。但是由于被測(cè)設(shè)備在屏蔽室中產(chǎn)生的干擾信號(hào)通過屏蔽室的六個(gè)面產(chǎn)生無規(guī)則的漫反射，特別是在輻射發(fā)射測(cè)量和輻射敏感度測(cè)量中表現(xiàn)更嚴(yán)重，導(dǎo)致在屏蔽室內(nèi)形成駐波而產(chǎn)生較大的測(cè)量誤差。

　　電波暗室：通常所說的電波暗室在結(jié)構(gòu)上大都由屏蔽室和吸波材料兩部分組成。在工程應(yīng)用中又分全電波暗室和半電波暗室。全電波暗室可充當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)天線的校準(zhǔn)場(chǎng)地，半電波暗室可作為EMC試驗(yàn)場(chǎng)地。電波暗室的主要性能指標(biāo)有“靜區(qū)”、“工作頻率范圍”等六個(gè)。但建造電波暗室的成本、難度均相當(dāng)高，因?yàn)榘凳业墓ぷ黝l率的下限取決于暗室的寬度和吸收材料的長(zhǎng)度、上限取決于暗室的長(zhǎng)度和所充許的靜區(qū)的zui小截面積。且由于吸波材料的低頻特性等原因，總的測(cè)試誤差有時(shí)高達(dá)幾十分貝。

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